CHA3666-99F低噪声放大器UMS

xs2021 · 发表于 2024-1-2 16:49:13

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自偏置低噪声放大器主要针对目前自偏置放大器的噪音和增益频带宽度无法满足各种的问题。主要包括两级功率放大电路，第一级功率放大电路由功率电感L2组成、NMOS管M1、PMOS管M2、负反馈电阻值R1与负载电源电路Z1相接；第一级功率放大电路的输出端连接第二级功率放大电路，第二级功率放大电路由共源NMOS管M3和匹配电阻R2组成。该M1管、M2管和M3管用作提供电压增益，负反馈电阻值R1和功率电感L2用作输入特性阻抗，负载电源电路Z1拓展增益频带宽度，匹配电阻R2用作输出特性阻抗。CHA3666-99F是款两级自偏置宽带单芯片低噪声放大器。CHA3666-99F采用标准PHEMT工艺技术：25um栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术。主要特征宽带性能：6-17GHZ1.8db噪声系数26dbm三阶截距点1db压缩时的17dbm功率21db增益值低直流电功耗直流电偏置电压：Vd=4.0伏@ld=80MA封装尺寸1.47x1.47x0.1mm