看看整流二极管检测方法选择和使用

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整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件，二极管重要的特性就是单方向导电性，在电路中，只能从二极管的正极流入，负极流出，通常它包含一个结，有正极和负极两个端子，区的载流子是空穴，区的载流子是电子，在区和区间形成一定的位垒，外加电压使区相对区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大，具有低的电压降，称为正向导通状态，若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向，称为反向阻断状态。要知道[url=http:///www.51dzw.com/]电子元件[/url]的成长也是要经历很多磨难的，但创业者们从不畏惧，大胆向前。[align=center]

                               
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整流二极管整流二极管具有明显的单向导电性，整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造，硅整流二极管的击穿电压高，反向漏小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件的结面积较大，能通过较大，但工作频率不高，一般在几十千赫以下，整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。



首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×或1000×欧姆档，测量整流二极管的两根引出线，若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百ω到穷大，而电整流二极管阻值小的仅几百ω甚至更小，说明该二极管是好的，若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用，如果两次测量的阻值都是穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。



整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，通常它包含一个结，有阳极和阴极两个端子。



整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造，硅整流二极管的击穿电压高，反向漏小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿），这种器件的结面积较整流二极管大，能通过较大（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下，整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。



1）对于串联型电源电路整流二极管，应选择整流二极管大整流，与反向工作电压适合条件二极管。



2）对于开关型稳压电路用整流二极管应选择使用工作频率较高，且反向恢复时司短恢复型整流二极管，而不能使用一般整流二极管，可选择使用一系列，一系列，一系列恢复二极管。



3）对低电压整流电路应选择使用正问压降小整流二极管。





  

整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件，二极管重要的特性就是单方向导电性，在电路中，只能从二极管的正极流入，负极流出，通常它包含一个结，有正极和负极两个端子，区的载流子是空穴，区的载流子是电子，在区和区间形成一定的位垒，外加电压使区相对区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大，具有低的电压降，称为正向导通状态，若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向，称为反向阻断状态。



整流二极管整流二极管具有明显的单向导电性，整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造，硅整流二极管的击穿电压高，反向漏小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件的结面积较大，能通过较大，但工作频率不高，一般在几十千赫以下，整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。



首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×或1000×欧姆档，测量整流二极管的两根引出线，若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百ω到穷大，而电整流二极管阻值小的仅几百ω甚至更小，说明该二极管是好的，若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用，如果两次测量的阻值都是穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。



整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，通常它包含一个结，有阳极和阴极两个端子。



整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造，硅整流二极管的击穿电压高，反向漏小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿），这种器件的结面积较整流二极管大，能通过较大（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下，整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。



1）对于串联型电源电路整流二极管，应选择整流二极管大整流，与反向工作电压适合条件二极管。



2）对于开关型稳压电路用整流二极管应选择使用工作频率较高，且反向恢复时司短恢复型整流二极管，而不能使用一般整流二极管，可选择使用一系列，一系列，一系列恢复二极管。



3）对低电压整流电路应选择使用正问压降小整流二极管。