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本文主要介绍安森美半导体近期推出了新款R系列硅光电倍增管,安森美半导体(ON S)近期推出了新款R系列硅光电倍增管(SPM),提高了电磁波谱红色和近红外区域的灵敏度。[url=http:///www.eh-ic.com/NXP/]NXP[/url]的具体问题可以到我们网站了解一下,也有业内领域专业的客服为您解答问题,为成功合作打下一个良好的开端![align=center][/align]
硅光电倍增管特性和优势:高增益和探测效率,来自独特的速输出端子,905处的PDE 10%,单光子灵敏度,1传感器尺寸,并提供各种微型尺寸,紧凑而坚固的MLP封装,偏置电压 50V,高响应度 100AW (905),超的上升时间和脉冲宽度,可提供带SMA连接器或引脚的评估板
硅光电倍增管应用领域:D测距和传感;医学影像;危险与威胁探测;生物光子学与科学应用;高能物理应用
此次推出的RB系列SPM传感器是R系列的最新版本,与之前的RA系列SPM传感器相比,可提供更高的光子探测效率和更低的串扰。
安森美半导体RB系列SPM可在低偏置电压下现单光子灵敏度、高响应度和速信号响应。
该系列光电传感器采用紧凑而坚固的模塑引线框架封装(MLP),适用于回流焊工艺。RB系列SPM及其封装均针对规模生产而设计,以卷带形式交付。
RB系列SPM的主要应用为采用905波长的激光雷达(LDAR)和测距应用。相比雪崩光电二极管(APD)和PIN二极管,该系列SPM传感器改善了高增益和单光子灵敏度。
对于激光雷达(LDAR)应用,这些特性可使LDAR系统现低反率物体的远距离探测。与运行类似的仅能探测单光子的单光子雪崩二极管(SPAD)不同,SPM通过微元()结构克服了这一限制,可现具有高动态范围的多光子探测。以上就是安森美半导体近期推出了新款R系列硅光电倍增管,希望对各位有帮助。 |
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